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    2SB649 参数 Datasheet PDF下载

    2SB649图片预览
    型号： 2SB649
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP型塑料封装晶体管 [PNP Type Plastic Encapsulate Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 254 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SB649的Datasheet PDF文件第1页  
    2SB649/2SB649A
    公司Bauelemente
    PNP型
    塑料封装晶体管
    最大集电极耗散
    曲线
    30
    集电极耗散功率P
    C
    (W)
    –3
    I
    CMAX
    集电极电流I
    C
    (A)
    –1.0
    安全工作区
    （ -13.3 V， -1.5 A）
    20
    （ -40 V， -0.5 A）
    –0.3
    –0.1
    DC操作（T
    C
    = 25°C)
    10
    –0.03
    2SB649
    –0.01
    –1
    （ -120 V， -0.038 A）
    （ -160 V， -0.02 A）
    2SB649A
    0
    50
    100
    案例温度T
    C
    (°C)
    150
    –3
    –10
    –30
    –100 –300
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    典型的输出特性
    –1.0
    .5
    –5
    典型的传输特性
    –500
    V
    CE
    = –5 V
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    –100
    集电极电流I
    C
    (A)
    –0.8
    TA = 75
    °
    C
    0
    I
    C
    = 10 I
    B
    –0.6
    –2.0
    –1.5
    –0.4
    –1.0
    –10
    –0.2
    -0.5毫安
    I
    B
    = 0
    0
    –30
    –50
    –10
    –20
    –40
    集电极到发射极电压V
    CE
    (V)
    –1
    –0.2 –0.4 –0.6 –0.8 –1.0
    基极至发射极电压V
    BE
    (V)
    直流电流传输比
    与集电极电流
    V
    CE
    = –5V
    TA = 75
    °C
    25
    °C
    集电极到发射极饱和
    电压与集电极电流
    集电极到发射极饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    (V)
    –1.2
    –1.0
    –0.8
    –0.6
    –0.4
    –0.2
    –0
    –1
    350
    直流电流传输比H
    FE
    350
    250
    200
    150
    100
    50
    –25°C
    25
    –25
    0
    5.
    –
    –4.5
    .0
    –4
    .5
    –3
    0
    –3.
    –2.5
    T
    C
    = 25°C
    Ta
    –10
    –100
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    =7
    –25
    25
    –1,000
    0
    –1
    –10
    –100
    –1,000
    集电极电流I
    C
    （MA ）
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    01君2002年修订版A
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    页面
    2of 2
    5
    °
    C
    P
    C
    =
    20
    W

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