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2SB1424 参数 Datasheet PDF下载

2SB1424图片预览
型号: 2SB1424
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内容描述: PNP硅中功率晶体管 [PNP Silicon Medium Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 178 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2SB1424的Datasheet PDF文件第2页  
2SB1424
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
D
D1
A
PNP硅
中功率晶体管
E1
b1
1.BASE
SOT-89
2.COLLECTOR
3.辐射源
L
b
e
e1
C
特点
符号
单位:毫米
1.400
0.320
0.360
0.350
4.400
1.400
2.300
3.940
1.500TYP
2.900
0.900
3.100
1.100
最大
1.600
0.520
0.560
0.440
4.600
1.800
2.600
4.250
E
尺寸以英寸
最大
0.063
0.020
0.022
0.017
0.181
0.071
0.102
0.167
0.060TYP
0.114
0.035
0.122
0.043
功耗
: 600
毫瓦温度= 25
P
CM
集电极电流
: -3
A
I
CM
集电极 - 基极电压
V
V
( BR ) CBO
: -20
工作和存储结温范围
T
J
T
英镑
: -55至+150
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
A
b
b1
c
D
D1
E
E1
e
e1
L
0.055
0.013
0.014
0.014
0.173
0.055
0.091
0.155
Tamb=25
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE ( SAT )
TEST
除非另有说明
条件
典型值
最大
单位
V
V
V
IC 。
-50
A,I
E
=0
IC 。
-1
妈,我
B
=0
I
E
=
-50
A,I
C
=0
V
CB
=
-20
V,I
E
=0
V
EB
=
-5
V,I
C
=0
V
CE
=
-2
V,I
C
=
-100
mA
I
C
=
-2
A,I
B
=
-100
mA
V
CE
=
-2
V,I
C
=
-500
mA,f=100MHz
V
CB
=
-10
V,I
E
=0,f=
1
兆赫
-20
-20
-6
-0.1
-0.1
120
390
-0.5
240
35
A
A
V
兆赫
pF
f
T
C
ob
分类h及
FE(1)
范围
记号
Q
120-270
AEQ
R
180-390
AER
http://www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
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