2SB1412
Elektroni sche BAUELEMENTE
PNP硅
低频晶体管
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
TRANSEITION频率：F
T
（兆赫）
l
C
/l
B
=
50
−25°C
25
°C
Ta=100
°C
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
Ta=25°C
V
CE
=−
6V
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
-5
1 000
1000
500
Ta=25°C
f=1MHz
I
E
=0A
200
100
50
20
10
-0.1 -0.2
-2m -5m -0.01
-0.02 -0.05 -0.1 -0.2 -0.5 -1 -2
-5 -10
50 100 200 500 1000
-0.5 -1
-2
-5 -10 -20
-50
集电极电流：我
C
(A)
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
图10集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（V）的
Fig.11
增益带宽积
与发射极电流
图12集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
辐射源INTPUT电容： CIB （
pF的）
1000
500
集电极电流：我
C
(A)
Ta=25°C
f=1MHz
I
C
=0A
100
50
20
10
Ta=25°C
*单
不重复
脉冲
Pw
200
100
50
5
2
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
Pw
=
1
DC
0
=
1
ms
ms
00
20
10
-0.1
-0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
0.2 0.5 1
2
5 10 20 50 100 200 500
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极到发射极电压：
−V
CE
(V)
图13发射器的输入电容
与发射极 - 基极电压
图14安全作业区
(2SB1412)
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第3页3
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