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2SB1322A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB1322A
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内容描述: PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 79 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
   
2SB1322A
公司Bauelemente
-1A , -60V
PNP塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
TO-92
特点
让供应与径向编带
G
H
J
:辐射源
-collector
: BASE
D
REF 。
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
分类h及
FE (1)
产品等级
2SB1322A -Q 2SB1322A -R 2SB1322A -S
范围
85~170
120~240
170~340
K
A
B
E
C
F
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
集热器


BASE

辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
英镑
等级
-60
-50
-5
-1
0.625
200
150, -55~150
单位
V
V
V
A
W
C / W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
集电极 - 基极电容
跃迁频率
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
C
cb
f
T
-60
-50
-5
-
-
85
50
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
200
最大
-
-
-
-0.1
-0.1
340
-
-0.4
-1.2
30
-
单位
V
V
V
μA
μA
测试条件
I
C
= -0.01mA ,我
E
=0
I
C
= -2mA ,我
B
=0
I
E
= -0.01mA ,我
C
=0
V
CB
= -20V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -10V ,我
C
= -0.5A
V
CE
= -5V ,我
C
= -1A
V
V
pF
兆赫
I
C
= -0.5A ,我
B
= -0.05A
I
C
= -0.5A ,我
B
= -0.05A
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
V
CE
= -10V ,我
C
= -0.05A , F = 200MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
14 -FEB - 2011版本A
第1页1