2SB1260
公司Bauelemente
-1 ， -80 V
PNP塑料封装晶体管
特性曲线
-1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
TA = 25℃
V
CE
=-5V
-1.0
TA = 25℃
-0.45mA
1000
500
直流电流增益：H
FE
TA = 25℃
-100
-0.8
-0.6
-0.4mA
-0.35mA
-0.3mA
-0.25mA
-0.2mA
-0.15mA
-0.1mA
200
100
50
V
CE
=-3V
-1V
-10
-0.4
-0.2
-1
-0.1
0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
-0.05mA
I
B
=0mA
0
0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0
20
10
-1 -2
-5 -10 -20 -50-100 -200-500-1000-2000
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
Fig.2
接地发射极输出
特征
Fig.3
直流电流增益主场迎战
集电极电流
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
跃迁频率：F
T
（兆赫）
TA = 25℃
-2
-1
-0.5
-0.2
-0.1
-0.05
-0.02
-0.01
-1 -2
-5 -10 -20 -50-100-200-500-1000-2000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
TA = 25℃
V
CE
=-5V
集电极输出电容：玉米棒（
pF的）
1000
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
-0.1 -0.2
-0.5 -1
-2
-5 -10 -20
-50 -100
TA = 25℃
f=1MHz
I
E
=0A
I
C
/I
B
=20
10
50 100 200 500 1000
集电极电流：我
C
（MA ）
发射极电流：我
E
（MA ）
集电极 - 基极电压： V
CB
(V)
Fig.4
集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
Fig.5
增益带宽积主场迎战
发射极电流
Fig.6
集电极输出电容
与集电极 - 基极电压
发射极输入电容： CIB
（PF ）
1000
500
集电极电流：我
C
(A)
TA = 25℃
f=1MHz
I
C
=0A
-2
I
C（最大值）
。 （脉冲）
-1 I
C（最大值）
.
-0.5
TA = 25℃
单身
不重复
脉冲
*
P
W
200
100
50
=1
0m
s
=1
P
W
DC
s
m
00
-0.2
-0.1
-0.05
-0.5
-1
-2
20
10
-0.1 -0.2
-0.5
-1
-2
-5
-10
-5
-10
-20
-50 -100
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
图。 7发射器的输入电容
与发射极 - 基极电压
图。 8安全工作区
(2SB1260)
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
01月7日至2007年A版
第2页2
SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
