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    2SB1218A 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1218A图片预览
    型号： 2SB1218A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅外延Paner晶体管 [PNP Silicon Epitaxial Paner Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 103 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
       
    2SB1218A
    公司Bauelemente
    -0.1A ， -60V
    PNP硅外延Paner晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    应用
    通用放大
    A
    L
    3
    SOT-323
    特点
    3
    高直流电流增益
    补充2SD1819A
    K
    顶视图
    1
    2
    C B
    1
    2
    E
    D
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    记号
    2SB1218A-Q
    160~260
    BQ1
    2SB1218A-R
    210~340
    BR1
    2SB1218A-S
    290~460
    BS1
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    1.80
    2.20
    1.80
    1.15
    0.80
    1.20
    0.20
    2.45
    1.35
    1.10
    1.40
    0.40
    H
    J
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.100 REF 。
    0.525 REF 。
    0.08
    -
    0.25
    -
    包装信息
    包
    SOT-323
    MPQ
    3K
    LeaderSize
    7'寸
    0.650典型。
    F
    集热器
    
    
    BASE
    
    辐射源
    最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结&储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    -45
    -45
    -7
    -100
    150
    833
    150, -55 ~ 150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    / W
    °C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    分钟。
    -45
    -45
    -7
    -
    -
    -
    160
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    80
    2.7
    马克斯。
    -
    -
    -
    -100
    -100
    -100
    460
    -0.5
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    nA
    μA
    nA
    V
    兆赫
    pF
    测试条件
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -10V ，我
    B
    =0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -2mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -10mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    E
    = 1mA时， F = 200MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    规范的任何更改将不个别通知。
    14 -FEB - 2011版本A
    第1页1

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