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    2SB1197 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1197图片预览
    型号： 2SB1197
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP外延平面晶体管 [PNP Epitaxial Planar Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 697 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SB1197的Datasheet PDF文件第2页  
    2SB1197
    公司Bauelemente
    -0.8 A， -40 V
    PNP外延平面晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素和无铅
    特点
    低V
    CE （ SAT ）
    .V
    CE （ SAT ）
    ≦-0.5V(I
    C
    / I
    B
    = -0.5A / -50mA ）
    I
    C
    =-0.8A
    补充2SD1781的
    A
    L
    3
    SOT-23
    3
    顶视图
    C B
    1
    2
    2
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    记号
    2SB1197-P
    82~180
    层次分析法
    2SB1197-Q
    120~270
    AHQ
    2SB1197-R
    180~390
    AHR
    F
    K
    1
    E
    D
    G
    H
    J
    包装信息
    包
    SOT-23
    MPQ
    3K
    LeaderSize
    7'寸
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    2.80
    3.04
    2.10
    2.55
    1.20
    1.40
    0.89
    1.15
    1.78
    2.04
    0.30
    0.50
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.09
    0.18
    0.45
    0.60
    0.08
    0.177
    0.6 REF 。
    0.89
    1.02
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    收藏家Currrent
    总功耗
    结&储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    Pc
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    -40
    -32
    -5
    -800
    200
    +150, -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    直流电流增益
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE （ SAT ）
    h
    FE
    f
    T
    C
    OB
    分钟。
    -40
    -32
    -5
    -
    -
    -
    82
    50
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    200
    12
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.5
    -0.5
    -0.5
    390
    -
    30
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    V
    测试条件
    I
    C
    = -50μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    = 0
    I
    E
    = -50μA ，我
    C
    = 0
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    = 0
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA
    V
    CE
    = -3V ，我
    C
    =-100mA
    兆赫
    pF
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -50mA ， F = 100MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    31日-12月2010版本C
    第1页2

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