2SB1182D
PNP硅
公司Bauelemente
通用晶体管
TO-252
6. 50
0. 15
0. 10
2. 30
0. 51
0. 05
0. 10
特点
该2SB1182DX是专为中等功率放大器的应用
0. 20
0. 10
5. 30
C
低集电极饱和电压VCE （SAT） = - 0.5V （典型值）
符合RoHS产品
5
0. 51
0
0. 10 1. 20
9. 70
0. 75
0. 10
5
5
1. 60
B
O
C
E
0. 51
*
最大额定值* T
A
= 25°C除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极电流 - 脉冲， PW = 100毫秒
集电极耗散
结温和存储温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
C
T
J
， TSTG
价值
-40
-32
-5
-2
-2
10
+150,-55~+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
TEST
条件
民
-40
-32
-5
-1
-1
82
-500
100
50
390
-800
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
IC = -50μA ， IE = 0
IC = -1mA ，我
B
=0
I
E
= -50μA ，我
C
=0
V
CB
=-20V,I
E
=0
V
EB
=-4V,I
C
=0
V
CE
=-3V,I
C
=-500mA
I
C
=-500mA,I
B
=-200mA
V
CE
=-5V,I
c
=500mA,f=100MHz
V
CB
=-10V,f=1MHz
分类
秩
范围
http://www.SeCoSGmbH.com
h
FE
P
82 - 180
Q
120 - 270
R
180 - 390
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2
2. 70
标记： 1182
（有日期代码）
0. 15
0. 6
0
9
0. 80
0. 10
2. 30
0. 10
0. 60
2. 30
0. 10
0. 10
0. 20
5. 50
0. 10
SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
