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    2SB1132_10 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1132_10图片预览
    型号： 2SB1132_10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅中功率晶体管 [PNP Silicon Medium Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 175 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SB1132_10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1132_10的Datasheet PDF文件第3页  
    2SB1132
    公司Bauelemente
    -1A ， -40V
    PNP硅中功率晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特点
    低功耗0.5W
    SOT-89
    4
    记号
    1132
    日期代码
    1 2
    3
    A
    E
    C
    B
    D
    F
    G
    H
    J
    K
    L
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    2SB1132-P
    82~180
    2SB1132-Q
    120~270
    2SB1132-R
    180~390
    REF 。
    包装信息
    包
    SOT-89
    MPQ
    1K
    LeaderSize
    7'寸
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.60
    3.94
    4.25
    1.40
    1.60
    2.30
    2.60
    1.50
    1.70
    1.2
    0.89
    0
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.40
    0.58
    1.50 TYP
    3.00 （典型值）
    0.32
    0.52
    0.35
    0.44
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流（ DC ）
    集电极耗散功率
    结&储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    -40
    -32
    -5
    -1
    500
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    °C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    分钟。
    -40
    -32
    -5
    -
    -
    82
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.2
    150
    20
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.5
    -0.5
    390
    -0.5
    -
    30
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    兆赫
    pF
    测试条件
    I
    C
    = -50μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -50μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -3V ，我
    C
    = -100mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -50mA ， F = 30MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    10-Dec-2010
    版本B
    第1页3

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