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    2SB1116A 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1116A图片预览
    型号： 2SB1116A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 174 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SB1116A的Datasheet PDF文件第2页  
    2SB1116A
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    -1 ， -80 V
    PNP塑料封装晶体管
    特点
    高集电极耗散功率
    补充2SD1616A
    G
    H
    TO-92
    分类h及
    FE(1)
    产品等级
    范围
    2SB1116A-L
    135~270
    2SB1116A-K
    200~400
    2SB1116A-U
    300~600
    K
    A
    1
    辐射源
    2
    集热器
    3
    BASE
    J
    D
    REF 。
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.70
    4.30
    4.70
    12.70
    -
    3.30
    3.81
    0.36
    0.56
    0.36
    0.51
    1.27 TYP 。
    1.10
    -
    2.42
    2.66
    0.36
    0.76
    B
    E
    C
    F
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    集热器
    2
    3
    BASE
    1
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    等级
    -80
    -60
    -6
    -1
    0.75
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    基地发射极电压
    集电极 - 基极电容
    跃迁频率
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE （1）
    h
    FE （2）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE
    C
    cb
    f
    T
    T
    ON
    T
    S
    T
    F
    分钟。
    -80
    -60
    -6
    -
    -
    135
    81
    -
    -
    -0.6
    -
    70
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    25
    -
    0.07
    0.7
    0.07
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.1
    -0.1
    600
    -
    -0.3
    -1.2
    -0.7
    -
    -
    -
    -
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    测试条件
    I
    C
    = -100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -80V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -6V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -0.1A
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -1A
    V
    V
    V
    pF
    兆赫
    us
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    = -50mA
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    = -50mA
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -0.05A
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    = -2V ，我
    C
    = -0.1A
    V
    CC
    = -10V ，我
    C
    = -0.1A ，我
    B1
    = -I
    B2
    = -0.01A
    V
    BE （OFF）的
    = 2 ~ 3V
    规范的任何更改将不个别通知。
    21 -JAN- 2011版本B
    第1页2

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