2SB1198K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1198K
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内容描述：	PNP硅通用晶体管 [PNP Silicon General Purpose Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 137 K
品牌：	SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]

2SB1198K

PNP硅

公司Bauelemente

符合RoHS产品

的" - C"后缀指定卤素&无铅

顶视图

通用晶体管

SC-59

暗淡

民

2.70

1.30

1.00

0.35

1.70

0.00

0.10

0.20

1.25

2.25

最大

3.10

1.70

1.30

0.50

2.30

0.10

0.26

0.60

1.65

3.00

特点

功耗

: 0.2

集电极电流

: -0.5

集电极 - 基极电压

（ BR ） CBO

: -80

工作和存储结温范围

英镑

： -55至+150

单位：mm外形尺寸

集热器

BASE

辐射源

电气特性

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

Tamb=25

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

FE(1)

CE （ SAT ）

TEST

除非另有说明

条件

民

典型值

最大

单位

IC 。

-50

A，I

IC 。

-2

妈，我

-50

A，I

-50

V，I

-4

V，I

-3

V，I

-100

-500

妈，我

-50

-10

V，I

-50

-10

V，I

=0,f=

兆赫

-80

-5

-0.5

120

390

-0.5

180

兆赫

分类h及

FE(1)

秩

范围

120-270

180-390

http://www.SeCoSGmbH.com

的说明书中的任何改变将不被通知个人

01君2002年修订版A

第1页2

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