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    2SA965TM 参数 Datasheet PDF下载

    2SA965TM图片预览
    型号： 2SA965TM
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： -0.8A ， -120V PNP塑料封装晶体管 [-0.8A , -120V PNP Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 59 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
       
    2SA965TM
    公司Bauelemente
    -0.8A ， -120V
    PNP塑料封装晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特点
    补充2SC2235
    功率放大器的应用
    A
    TO-92MOD
    D
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    2SA965-O
    80-160
    2SA965-Y
    120-240
    K
    E
    B
    F
    C
    N
    G
    H
    M
    1
    辐射源
    2
    集热器
    3
    BASE
    L
    J
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    1.70
    2.05
    2.70
    3.20
    0.85
    1.15
    1.60最大
    0.00
    0.40
    4.00 MIN
    集热器
    2
    REF 。
    3
    BASE
    1
    辐射源
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    5.50
    6.50
    8.00
    9.00
    12.70
    14.50
    4.50
    5.30
    0.35
    0.65
    0.30
    0.51
    1.50典型。
    REF 。
    H
    J
    K
    L
    M
    N
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    热阻，结到环境
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    J
    , T
    英镑
    等级
    -120
    -120
    -5
    -0.8
    0.9
    139
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    °
    C / W
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    分钟。
    -120
    -120
    -5
    -
    -
    80
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    120
    -
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.1
    -0.1
    240
    -1
    -1
    -
    40
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    V
    兆赫
    pF
    测试条件
    I
    C
    = -1mA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -1mA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -120V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -100mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -0.5A
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -100mA
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    8月17日2011年修订版A
    第1页1

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