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    2SA733_11 参数 Datasheet PDF下载

    2SA733_11图片预览
    型号： 2SA733_11
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 417 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SA733_11的Datasheet PDF文件第2页  
    2SA733
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    -60 V， -150mA
    PNP塑料封装晶体管
    特点
    互补的2SC945的
    集电极基极电压： -60V
    A
    L
    3
    SOT-23
    记号
    产品
    2SA733
    标识代码
    CS
    1
    3
    顶视图
    2
    C B
    1
    2
    K
    E
    D
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    2SA733-L
    120~220
    2SA733-H
    200~475
    F
    G
    H
    J
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    包装信息
    包
    SOT-23
    MPQ
    3K
    LeaderSize
    7'寸
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    2.80
    3.04
    2.10
    2.55
    1.20
    1.40
    0.89
    1.15
    1.78
    2.04
    0.30
    0.50
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    0.09
    0.18
    0.45
    0.60
    0.08
    0.177
    0.6 REF 。
    0.89
    1.02
    集热器
    3
    1
    BASE
    2
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    -60
    -50
    -5
    -150
    200
    150, -55 ~ 150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    噪声系数
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE（上）
    f
    T
    C
    ob
    NF
    分钟。
    -60
    -50
    -5
    -
    -
    120
    -
    -0.58
    50
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.18
    -0.62
    -
    4.5
    6
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.1
    -0.1
    475
    -0.3
    -0.68
    -
    7
    20
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    V
    V
    兆赫
    pF
    dB
    测试条件
    I
    C
    = -5μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -50μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -60V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -6V ，我
    C
    = -1mA
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -10mA
    V
    CE
    = -6V ，我
    C
    = -1.0mA
    V
    CE
    = -6V ，我
    C
    = -10mA
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    CE
    = -6V ，我
    C
    = -0.3mA ， F = 100Hz的，
    R
    G
    =10K
    规范的任何更改将不个别通知。
    21 -JAN- 2011 Rev. D的
    第1页2

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