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    2SA684_11 参数 Datasheet PDF下载

    2SA684_11图片预览
    型号： 2SA684_11
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 739 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SA684_11的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA684_11的Datasheet PDF文件第3页  
    2SA684
    公司Bauelemente
    -1A ， -60V
    PNP塑料封装晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特征
    自动插入桡录音成为可能。
    互补配对2SC1384L 。
    G
    H
    TO-92L
    1
    辐射源
    2
    集热器
    3
    BASE
    J
    A
    D
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    2SA684-Q
    85~170
    2SA684-R
    120~240
    2SA684-S
    170~340
    K
    B
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    E
    C
    F
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.70
    5.10
    7.80
    8.20
    13.80
    14.20
    3.70
    4.10
    0.35
    0.55
    0.35
    0.45
    1.27 TYP 。
    1.28
    1.58
    2.44
    2.64
    0.60
    0.80
    集热器
    2
    3
    BASE
    1
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    -60
    -50
    -5
    -1
    1
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    h
    FE （1）
    h
    FE （2）
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    Ob
    分钟。
    -60
    -50
    -5
    -
    85
    50
    -
    -
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.1
    340
    单位
    V
    V
    V
    µA
    测试条件
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -500mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -1A
    -
    -0.2
    -0.85
    200
    20
    -
    -0.4
    -1.2
    -
    30
    V
    V
    兆赫
    pF
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    E
    = 50mA时F = 200MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    21 -JAN- 2011版本B
    第1页3

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