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    2SA684 参数 Datasheet PDF下载

    2SA684图片预览
    型号： 2SA684
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP晶体管 [PNP Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 232 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SA684的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SA684的Datasheet PDF文件第3页  
    2SA684
    公司Bauelemente
    符合RoHS产品
    PNP晶体管
    特点
    的" - C"后缀指定卤素&无铅
    TO-92L
    ∙
    自动插入桡录音成为可能。
    ∙
    互补配对2SC1384 。
    2
    1.发射器
    3
    2.收集
    3
    .
    BASE
    1 2
    3
    最大额定值* T
    A
    = 25° ，除非另有说明
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散
    结温和存储温度
    参数
    1
    价值
    -60
    -50
    -5
    -1
    1
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃
    *
    这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    h
    FE(1)
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-1A
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    E
    = 50mA时F = 200MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    50
    -0.2
    -0.85
    200
    20
    30
    -0.4
    -1.2
    V
    V
    兆赫
    pF
    TEST
    除非
    否则
    特定网络版）
    民
    -60
    -50
    -5
    -0.1
    85
    340
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    µA
    条件
    IC = -10uA ，我
    E
    =0
    IC = -2mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    =-500mA
    分类
    秩
    范围
    http://www.SeCoSGmbH.com
    h
    FE(1)
    Q
    85-170
    R
    120-240
    S
    170-340
    的说明书中的任何改变将不被通知个人
    01君2002年修订版A
    第1页3

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