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    2SA673_11 参数 Datasheet PDF下载

    2SA673_11图片预览
    型号： 2SA673_11
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 通用晶体管 [General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 358 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SA673_11的Datasheet PDF文件第2页  
    2SA673 ， 2SA673A
    公司Bauelemente
    PNP
    通用晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素和无铅
    特点
    低频放大器
    互补配对2SC1213和2SC1213A
    G
    H
    TO-92
    1
    辐射源
    2
    集热器
    3
    BASE
    J
    A
    D
    B
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.70
    4.30
    4.70
    12.70
    -
    3.30
    3.81
    0.36
    0.56
    0.36
    0.51
    1.27 TYP 。
    1.10
    -
    2.42
    2.66
    0.36
    0.76
    分类h及
    FE(1)
    产品等级
    产品等级
    范围
    2SA673-B
    2SA673A-B
    60~120
    2SA673-C
    2SA673A-C
    100~200
    2SA673-D
    2SA673A-D
    160~320
    E
    K
    C
    F
    集热器
    2
    3
    BASE
    1
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流
    集电极耗散功率
    交界处，贮存温度
    2SA673
    2SA673A
    2SA673
    2SA673A
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    等级
    -35
    -50
    -35
    -50
    -4
    -500
    400
    150, -55~150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °
    C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极基极击穿2SA673
    电压
    2SA673A
    集电极到发射极
    击穿电压
    收藏家切 - 断电流
    直流电流增益
    集电极到发射极饱和电压
    2SA673
    2SA673A
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    h
    FE （1）
    h
    FE （2）
    *
    V
    CE （ SAT ）
    *
    分钟。
    -35
    -50
    -35
    -50
    -4
    -
    60
    10
    -
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.64
    马克斯。
    -
    -
    -
    -
    -
    -0.5
    320
    -
    -0.6
    -
    单位
    V
    V
    V
    µA
    测试条件
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    = -3V ，我
    C
    = - 10毫安
    V
    CE
    = -3V ，我
    C
    = -500mA
    发射极基极击穿电压
    V
    V
    I
    C
    = -150mA ，我
    B
    = -15mA
    V
    CE
    = -3V ，我
    C
    = -10mA
    集电极到发射极电压
    V
    BE
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≤300µs,
    占空比cycle≤ 2.0％。
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    21 -JAN- 2011版本C
    第1页2

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