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2SA608N 参数 Datasheet PDF下载

2SA608N图片预览
型号: 2SA608N
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内容描述: PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 78 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
   
2SA608N
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
-0.1 A, -40 V
PNP塑料封装晶体管
特点
TO-92
大电流容量,广ASO 。
G
H
应用
能够被用在低频到
高的频率范围。
A
J
D
B
K
:辐射源
-collector
: BASE
分类h及
FE
产品等级
2SA608N -F 2SA608N -G
范围
160~320
280~560
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
E
C
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
集热器


BASE

辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
热阻结到环境
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
英镑
等级
-60
-50
-6
-0.15
500
250
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
C / W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
http://www.SeCoSGmbH.com/
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
-60
-50
-6
-
-
160
70
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
200
4.5
最大
-
-
-
-0.1
-0.1
560
-
-0.3
-1
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
测试条件
I
C
= -0.01mA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -0.01mA ,我
C
=0
V
CB
= -40V ,我
E
=0
V
EB
= -5V ,我
C
=0
V
CE
= -6V ,我
C
= -1mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -0.1mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -10mA
I
C
= -100mA ,我
B
= -10mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -10mA
V
CB
= -6V ,我
C
= 0中,f = 1MHz的
V
V
兆赫
pF
规范的任何更改将不个别通知。
26 -JAN- 2011版本A
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