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2SA608 参数 Datasheet PDF下载

2SA608图片预览
型号: 2SA608
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内容描述: PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 429 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2SA608
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
-0.1 A, -40 V
PNP塑料封装晶体管
特点
TO-92
能够被用在低频到高
频率范围。
大电流容量,广ASO 。
G
H
分类h及
FE
产品等级
2SA608-D
范围
60~120
2SA608-E
100~200
2SA608-F
160~320
2SA608-G
280~560
K
A
J
D
B
:辐射源
-collector
: BASE
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
E
C
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
集热器


BASE

辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
等级
-40
-30
-5
-0.1
400
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
-40
-30
-5
-
-
60
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
180
7
最大
-
-
-
-1
-1
560
-0.5
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -25V ,我
E
=0
V
EB
= -4V ,我
C
=0
V
CE
= -6V ,我
C
= -1mA
I
C
= -50mA ,我
B
= -5mA
V
CE
= -6V ,我
C
= -10mA
V
CB
= -6V , F = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
26 -JAN- 2011版本A
第1页3