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    2SA1832 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1832图片预览
    型号： 2SA1832
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅塑封晶体管 [PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 472 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2SA1832的Datasheet PDF文件第2页  
    2SA1832
    公司Bauelemente
    -0.15A ， -50V
    PNP硅塑封晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素&无铅
    特点
    高电压和高电流
    优秀ħ
    FE
    线性
    补充2SC4738
    A
    M
    3
    SOT-523
    3
    分类h及
    FE
    产品等级
    范围
    记号
    2SA1832-Y
    120~240
    SY
    2SA1832-GR
    200~400
    SG
    F
    K
    顶视图
    1
    2
    C B
    1
    2
    L
    E
    D
    G
    H
    J
    包装信息
    包
    SOT-523
    MPQ
    3K
    LeaderSize
    7'寸
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    1.5
    1.7
    1.45
    1.75
    0.75
    0.85
    0.7
    0.9
    0.9
    1.1
    0.15
    0.25
    REF 。
    G
    H
    J
    K
    L
    M
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    -
    0.1
    0.55 REF 。
    0.1
    0.2
    -
    0.5 TYP 。
    0.25
    0.325
    集热器
    
    
    BASE
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    连续集电极电流 -
    集电极耗散功率
    热阻结到环境
    结温和存储温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    -50
    -50
    -5
    -150
    100
    125
    -55~125
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    / W
    °C
    电气特性
    (T
    A
    = 25 ° C除非另有说明）
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿
    发射极基极击穿电压
    收藏家切 - 断电流
    发射器切 - 关断电流
    直流电流增益
    集电极到发射极
    饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    分钟。
    -50
    -50
    -5
    -
    -
    120
    -
    80
    -
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4
    马克斯。
    -
    -
    -
    -100
    -100
    400
    -0.3
    -
    7
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    测试条件
    I
    C
    = -100ìA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -100ìA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -50V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -6V ，我
    C
    = -2mA
    V
    兆赫
    pF
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -10mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -1mA
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    25 -JAN- 2011版本A
    第1页2

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