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2SA1213 参数 Datasheet PDF下载

2SA1213图片预览
型号: 2SA1213
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内容描述: PNP硅中功率晶体管 [PNP Silicon Medium Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 289 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2SA1213
公司Bauelemente
符合RoHS产品
PNP硅
中功率晶体管
SOT-89
D
单位:毫米
尺寸以英寸
0.055
0.013
0.014
0.014
0.173
0.055
0.091
0.155
0.060TYP
最大
0.063
0.020
0.022
0.017
0.181
0.071
0.102
0.167
1.BASE
2.COLLECTOR
3.EMITTER
E1
D1
A
符号
A
b
b1
c
1.400
0.320
0.360
0.350
4.400
1.400
2.300
3.940
1.500TYP
2.900
0.900
最大
1.600
0.520
0.560
0.440
4.600
1.800
2.600
4.250
E
D
D1
E
E1
b1
*特点
b
L
e
e1
C
e
e1
L
3.100
1.100
0.114
0.035
0.122
0.043
集电极电流-2A
低功耗0.5W
* Stucture
外延平面型。
PNP硅晶体管。
电气特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
Tamb=25
¥
除非
否则
条件
特定网络版
-50
-50
-5
-0.1
-0.1
70
20
-0.5
-1.2
V
V
240
最大
单位
V
V
  V
 μA
 μA
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE 1
TEST
Ic=-100μA
I
E
=0
I
C
= -10mA ,我
B
=0
I
E
= -100μA ,我
C
=0
V
CB
= -50 V,I
E
=0
V
EB
=-5 V ,
I
C
=0
V
CE
= -2V ,我
C
= -0.5A
V
CE
= -2V ,我
C
= -2A
I
C
= -1A ,我
B
= -0.05A
I
C
= -1A ,我
B
= -0.05A
直流电流增益
h
FE 2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
V
CESAT
V
BESAT
跃迁频率
f
T
V
CE
= -2V ,我
C
=-0.5A
100
兆赫
分类h及
FE
O 
70-140 
Y 
120-240 
 
 
记号
http://www.SeCoSGmbH.com
NO ,NY
的说明书中的任何改变将不被通知个人
 
 
01君2002年修订版A
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