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型号: 2SA1083
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内容描述: PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 78 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
   
2SA1083
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
-0.1 A, -60 V
PNP塑料封装晶体管
特点
TO-92
低频放大器
G
H
分类h及
FE
产品等级
范围
2SA1083-D
250-500
2SA1083-E
400-800
K
J
A
B
D
:辐射源
-collector
: BASE
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
E
C
F
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
集热器


BASE

辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
英镑
等级
-60
-60
-5
-0.1
400
312
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
C / W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
-60
-60
-5
-
-
250
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-0.6
90
3.5
最大
-
-
-
-0.1
-0.1
800
-0.2
-
-
-
单位
V
V
V
μA
μA
V
V
兆赫
pF
测试条件
I
C
= -0.01mA ,我
E
=0
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -0.01mA ,我
C
=0
V
CB
= -50 V,I
E
=0
V
EB
= -2V ,我
C
=0
V
CE
= -12V ,我
C
= -2mA
I
C
= -10mA ,我
B
= -1mA
V
CE
= -12V ,我
C
= -2mA
V
CE
= -12V ,我
C
= -2mA
V
CB
= -10V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
13 -JAN- 2011版本A
第1页1