2SA1036K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1036K
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内容描述：	PNP硅通用晶体管 [PNP Silicon General Purpose Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 223 K
品牌：	SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]

2SA1036K

PNP硅

公司Bauelemente

的" - C"后缀指定卤素&无铅

通用晶体管

SC-59

暗淡

民

2.70

1.30

1.00

0.35

1.70

0.00

0.10

0.20

1.25

2.25

最大

3.10

1.70

1.30

0.50

2.30

0.10

0.26

0.60

1.65

3.00

特点

顶视图

符合RoHS产品

大我

ICMAX

。 = -500毫安

低V

CE （ SAT ）

。非常适用于低电压操作。

集热器

标记： HP ， HQ ， HR

BASE

辐射源

单位：mm外形尺寸

最大额定值* T

=25

除非另有说明

符号

CBO

首席执行官

EBO

, T

英镑

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流 - 连续

集电极耗散

结温和存储温度

参数

价值

-40

-32

-5

-500

200

-55~150

单位

℃

*这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能

受损。

电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

除非

TEST

否则

特定网络版）

民

-40

-32

-5

-1

390

-0.4

200

兆赫

典型值

最大

单位

µA

条件

Ic=-100µA,I

Ic=-1mA,I

=-100µA,I

=-20V,I

=-4V,I

=-3V,I

=-10mA

=-100mA,I

=-10mA

=-5V,I

=-20mA,f=100MHz

=-10V,I

=0,f=1MHz

分类

秩

范围

http://www.SeCoSGmbH.com

82 - 180

120 - 270

180 - 390

的说明书中的任何改变将不被通知个人

01君2002年修订版A

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