2N7002T_11 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002T_11
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内容描述：	0.115A ， 60V ， RDS （ ON ） 7.2Ω N沟道增强型MOSFET [0.115A , 60V , RDS(ON) 7.2Ω N-Channel Enhancement MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 283 K
品牌：	SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]

2N7002T

公司Bauelemente

0.115A ， 60V ，R

DS （ ON）

7.2Ω

N沟道增强型MOSFET

符合RoHS产品

的“-C”后缀指定卤素&无铅

特点



SOT-523

高密度电池设计低R

DS （ ON）

电压控制的小信号开关。

坚固可靠。

高饱和电流能力。

顶视图

C B

记号

K72

包装信息

REF 。

包

SOT-523

MPQ

负责人尺寸

7寸

毫米

分钟。

马克斯。

1.5

1.7

1.45

1.75

0.75

0.85

0.7

0.9

1.1

0.15

0.25

REF 。

毫米

分钟。

马克斯。

0.1

0.55 REF 。

0.1

0.2

0.5 TYP 。

0.25

0.325



漏



门



来源

绝对最大额定值

= 25 ° C除非另有规定编）

参数

漏源电压

漏电流

功耗

最大结到环境

工作结温范围

工作存储温度范围

符号

θJA

英镑

等级

115

150

833

150

-55~150

单位

C / W

°C

http://www.SeCoSGmbH.com/

规范的任何更改将不个别通知。

12月13日， 2011版本C

第1页3

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