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2N7002KW 参数 Datasheet PDF下载

2N7002KW图片预览
型号: 2N7002KW
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内容描述: N沟道小信号MOSFET与ESD保护 [N-Ch Small Signal MOSFET with ESD Protection]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 4 页 / 527 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2N7002KW
公司Bauelemente
115毫安, 60V ,R
DS ( ON)
4
N沟道小信号MOSFET与ESD保护
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
R
DS ( ON)
, V
GS
@ 10V ,我
DS
@500mA=3
R
DS ( ON)
, V
GS
@ 4.5V ,我
DS
@200mA=4
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
非常低的漏电流在关闭状态
专为电池供电系统,
固态继电器驱动器:继电器,显示器,灯具,
螺线管​​,存储器等
ESD保护2KV HBM
符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
案例: SOT- 323封装
码头:每MIL -STD- 750焊接的,
方法2026
SOT-323
A
3
L
3
顶视图
1
2
C B
1
2
K
E
D
F
G
H
J
机械数据
REF 。
A
B
C
D
E
F
毫米
分钟。
马克斯。
1.80
2.20
1.80
2.45
1.15
1.35
0.80
1.10
1.20
1.40
0.20
0.40
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.100 REF 。
0.525 REF 。
0.08
0.25
-
-
0.650典型。
记号
K72

包装信息
SOT-323
MPQ
3K
LeaderSize
7'寸

来源

绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
最大功率耗散
T
A
=25°C
T
A
=75°C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
JA
T
J
, T
英镑
等级
60
±20
115
800
200
120
625
-55~150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
/ W
°C
热阻结到环境(PCB安装)
2
工作结温和存储温度
注意事项:
1.最大直流电流受限于封装。
2.表面安装在FR4板,T < 5秒。
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
31 -MAR - 2011版本A
第1页4