2N7002KDW
公司Bauelemente
115毫安， 60V
双N沟道小信号MOSFET
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
SOT-363
A
E
6
5
4
低导通电阻
开关速度快
低电压驱动
易于设计的驱动电路
ESD保护： 2000V
6
D
2
L
B
机械数据
5
G
1
4
S
1
F
DG
1
2
3
C
K
H
J
案例： SOT- 363
外壳材料，防火等级94V- 0
码头：每MIL -STD- 202焊接的，
方法208
重0.006克数（大约）
REF 。
A
B
C
D
E
F
S
2
G
2
D
1
器件标识： RK
1
2
3
毫米
分钟。
马克斯。
2.00
2.20
2.15
2.45
1.15
1.35
0.90
1.10
1.20
1.40
0.15
0.35
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.100 REF 。
0.525 REF 。
0.08
0.15
8°
0.650典型。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
连续反向漏电流
脉冲反向漏电流
功耗
工作结&存储温度范围
注意：
1.
2.
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
当安装在1x0.75x0.062英寸的玻璃环氧树脂板
I
I
符号
V
DS
V
GS
I
D
1
DP
等级
60
±20
115
800
115
800
225
-55~150
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mW
°C
I
D
1
DRP
P
D
T
J
, T
英镑
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅源漏
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
*
PW ≦ 300μS ，占空比≦ 1 ％
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
T
D（关闭）
民
60
-
-
1
-
-
80
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
1.85
-
-
-
25
10
3.0
12
20
最大
-
1.0
±10
2.5
7.5
7.5
-
50
25
5
20
30
单位
V
μA
μA
V
Ω
ms
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=10μA
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
=0V , V
GS
=±20V
V
DS
= V
GS ，
I
D
=250μA
V
GS
= 10V ，我
D
=0.5A
V
GS
= 5V ，我
D
=0.05A
V
DS
= 10V ，我
D
=0.2A
V
DS
=25V
开关特性
基本特征
动态特性
pF
V
GS
=0V
f=1MHz
V
DD
= 30V ，我
D
=0.2A
R
L
=150Ω, V
Gs
= 10V ，R
G
=10Ω
开关特性
nS
31月， 2009年修订版A
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SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
