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2N7002KG 参数 Datasheet PDF下载

2N7002KG图片预览
型号: 2N7002KG
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内容描述: N沟道小信号MOSFET和栅极保护 [N-Ch Small Signal MOSFET with Gate Protection]
分类和应用: 栅极
文件页数/大小: 5 页 / 681 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
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2N7002KG
公司Bauelemente
190毫安, 60 V ,R
DS ( ON)
= 2
Ω
N沟道小信号MOSFET和栅极保护
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
2 kV ESD保护
低导通电阻: 2
Ω
门槛低: 2 V (典型值)
低输入电容: 25 pF的
快速开关性能: 25纳秒
低输入和输出泄漏
A
L
3
SOT-23
3
顶视图
1
2
C B
1
2
K
E
D
应用
直接逻辑电平接口:
TTL / CMOS
司机:继电器,螺线管,灯,
锤子,显示器,记忆,
晶体管等。
电池供电系统
固态继电器
1
3
F
G
H
J
REF 。
A
B
C
D
E
F
2
来源
毫米
分钟。
马克斯。
2.80
3.04
2.10
2.55
1.20
1.40
0.89
1.15
1.78
2.04
0.30
0.50
REF 。
G
H
J
K
L
毫米
分钟。
马克斯。
0.09
0.18
0.45
0.60
0.08
0.177
0.6 REF 。
0.89
1.02
包装信息
重量: 0.07800克(约)
标识代码
K7K
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
2
连续漏电流
2
漏电流脉冲
1
功耗
2
热阻
结到环境
工作结
储存温度
马克斯。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
R
θJA
T
J
, T
英镑
评级
N沟道
单位
V
测试条件
60
±20
300
190
800
0.35
0.14
350
-55 ~ +150
@T
A
=25°C
mA
@T
A
=100°C
@T
A
=25°C
@T
A
=100°C
° C / W
°C
W
注意事项:
1.脉冲宽度有限的最高结温。
2.表面安装在FR4板。
01月, 2008年修订版B
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