2N5551
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的" - C"后缀指定卤素&无铅
4.55
±0.2
NPN硅
通用晶体管
TO-92
3.5
±0.2
4.5
±0.2
特点
*开关和放大高压
14.3
±0.2
0.46
+0.1
–0.1
(1.27
TYP 。 ）
1.25
–0.2
1 2 3
+0.2
*低电流（最大600毫安）
*高电压（ max.180v ）
0.43
+0.08
–0.07
1 ：发射器
2 ：基本
3 ：收藏家
最大额定值* T
A
=25
℃
除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
PARA
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散
结温和存储温度
计
180
160
6
0.6
2.54
±0.1
价值
单位
V
V
V
A
W
℃
0.625
-55-150
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极
击穿
电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
*
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
（
1
）
*
直流电流增益
h
FE
（
2
）
*
h
FE
（
3
）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
*
TEST
条件
民
180
160
6
50
50
80
80
30
0.15
0.2
1
1
100
300
6
20
8
V
250
典型值
最大
单位
V
V
V
IC = 100
μ
A，I
E
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 10
μ
A，I
C
=0
V
CB
= 120V
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 5 V,
V
CE
= 5 V,
V
CE
= 5 V,
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
I
E
=0
n
A
nA
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
V
CE
=10V,I
C
= 10毫安,, F = 100MHz的
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
V
BE
=0.5V,I
C
=0,f=1MHz
V
CE
=5V,I
c
=0.25mA,
f=1KHZ,Rg=1kΩ
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
输入电容
噪声系数
*脉冲测试
http://www.SeCoSGmbH.com/
01君2002年修订版A
V
BESAT
*
V
兆赫
pF
pF
dB
f
T
C
ob
C
ib
NF
的说明书中的任何改变将不被通知个人
第1页2
SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
