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2N5401_10 参数 Datasheet PDF下载

2N5401_10图片预览
型号: 2N5401_10
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内容描述: PNP塑料封装晶体管 [PNP Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 341 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
 浏览型号2N5401_10的Datasheet PDF文件第2页  
2N5401
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
-0.6 A, -160 V
PNP塑料封装晶体管
特点
开关和放大高压
应用,如电话
J
G
H
TO-92
低电流(最大600毫安)
高电压(最大160V )
K
A
B
D
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
E
C
F
集热器
3
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
2
BASE
1
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
等级
-160
-150
-5
-0.6
0.625
150, -55~150
单位
V
V
V
A
W
°
C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
-160
-150
-5
-
-
80
60
50
-
-
100
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-50
-50
-
240
-
-0.5
-1
300
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= -100μA ,我
E
= 0A
I
C
= -1mA ,我
B
= 0A
I
E
= -10μA ,我
C
= 0A
V
CB
= -120 V,I
E
= 0 A
V
EB
= -3 V,I
C
= 0 A
V
CE
= -5V ,我
C
=-1mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-10mA
V
CE
= -5V ,我
C
=-50mA
V
V
兆赫
I
C
= -50mA ,我
B
=-5mA
I
C
= -50mA ,我
B
=-5mA
V
CE
= -5V ,我
C
= -10mA , F = 30MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
4月- 2010版本B
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