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    2N3906_10 参数 Datasheet PDF下载

    2N3906_10图片预览
    型号： 2N3906_10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP通用晶体管 [PNP General Purpose Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 381 K
    品牌： SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
     浏览型号2N3906_10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N3906_10的Datasheet PDF文件第3页  
    2N3906
    公司Bauelemente
    -0.2A ， -40V
    PNP通用晶体管
    符合RoHS产品
    的“-C”后缀指定卤素和无铅
    特点
    功耗P
    CM
    ： 625mW （ TA = 25 ° C）
    集电极电流I
    CM
    ： -200mA
    集电极 - 基极电压V
    （ BR ） CBO
    : -40V
    G
    H
    TO-92
    1
    辐射源
    2
    BASE
    3
    集热器
    J
    A
    D
    B
    REF 。
    A
    B
    C
    D
    E
    F
    G
    H
    J
    K
    毫米
    分钟。
    马克斯。
    4.40
    4.70
    4.30
    4.70
    12.70
    -
    3.30
    3.81
    0.36
    0.56
    0.36
    0.51
    1.27 TYP 。
    1.10
    -
    2.42
    2.66
    0.36
    0.76
    分类h及
    FE(1)
    产品等级
    范围
    2N3906-O
    100~200
    2N3906-Y
    200~300
    2N3906-G
    300~400
    E
    K
    C
    F
    集热器
    3
    2
    BASE
    1
    辐射源
    绝对最大额定值
    (T
    a
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    Cpllector功耗
    交界处，贮存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    , T
    英镑
    评级
    -40
    -40
    -5
    -0.2
    625
    +150, -55 ~ +150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    °C
    电气特性
    (T
    a
    = 25 ° C除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    CEX
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    分钟。
    -40
    -40
    -5
    -
    -
    100
    60
    -
    -
    250
    典型值。
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    马克斯。
    -
    -
    -
    -0.1
    -50
    -0.1
    400
    -
    -0.4
    -0.95
    -
    单位
    V
    V
    V
    测试条件
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -100μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -40V ，我
    E
    =0
    V
    CE
    =-30V, V
    BE （OFF）的
    =-3V
    V
    EB
    = -5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-10mA
    V
    CE
    = -1V ，我
    C
    =-50mA
    µ
    A
    n
    A
    µ
    A
    V
    V
    兆赫
    I
    C
    = -50mA ，我
    B
    =-5mA
    I
    C
    = -50mA ，我
    B
    =-5mA
    V
    CE
    = -20V ，我
    C
    = -10mA ， F = 100MHz的
    http://www.SeCoSGmbH.com/
    规范的任何更改将不个别通知。
    31月-2010 Rev.B的
    第1页3

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