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型号: 2N3828
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内容描述: NPN塑料封装晶体管 [NPN Plastic Encapsulated Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 78 K
品牌: SECOS [ SECOS HALBLEITERTECHNOLOGIE GMBH ]
   
2N3828
公司Bauelemente
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
0.1 A , 40 V
NPN塑料封装晶体管
特点
通用放大器晶体管
TO-92
G
H
J
A
D
B
K
辐射源
BASE
集热器
集热器

REF 。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K

BASE
E
C
F

辐射源
毫米
分钟。
马克斯。
4.40
4.70
4.30
4.70
12.70
-
3.30
3.81
0.36
0.56
0.36
0.51
1.27 TYP 。
1.10
-
2.42
2.66
0.36
0.76
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
热阻,结到环境
交界处,贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
英镑
等级
40
40
3
0.1
300
416
150, -55~150
单位
V
V
V
A
mW
C / W
°C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
.
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
CEX
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
f
T
40
40
3
-
-
-
30
-
-
360
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
0.1
50
0.1
200
0.3
0.95
-
单位
V
V
V
μA
nA
μA
V
V
兆赫
测试条件
I
C
= 0.01毫安,我
E
= 0A
I
C
= 1mA时,我
B
= 0A
I
E
= 0.01毫安,我
C
= 0A
V
CB
= 60V ,我
E
= 0 A
V
CE
= 30V, V
BE (OFF)的
= 3V
V
EB
= 5V ,我
C
= 0毫安
V
CE
= 1V ,我
C
= 12毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
29月- 2010版本A
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