绝对最大额定值
(1)
电源输入电压（ VDD ） .. ...... 。 .................. + 5V
功率耗散（ PD ） ......... ..内部限制
(3)
工作额定值
(2)
电源输入电压（ VDD ） ...... ..................... 。 5.0V
结温（Tj ） ......... 。 ... .. 0 ° C至+ 125°C
封装热阻
230℃ / W （ SOT- 23-6L ）
结温（Tj ） ...... ............ ...... 150℃
焊接温度（焊接， 5秒） ...... ...... 。 260℃
储存温度（ TS ） ......... .. -40 ° C至+ 150°C
电气特性（T
J
= 25°C)
符号
V
DD
I
泄漏
参数
反向电压Standaoff
反向Standaoff漏电流
信号钳位电压
V
C
积极
负
在ESD钳位电压
MIL -STD- 883方法3015 （ HBM ）
8kV
8kV
ESD测试等级
(4)
IEC- 61000-2 ，接触放电
MIL -STD- 883方法3015 （ HBM ）
通道到GND电容
通道到通道电容
开/关时间
温度范围
操作
存储
二极管的动态电阻
正向导通
逆向传导
条件最小
I = 10μA
V = 5.0V
--
典型值
5
1
最大
-
100
单位
V
nA
I = 10毫安
I = 10毫安
5.6
-1.2
6.8
-0.8
8
-0.4
V
--
--
12
-8
--
--
V
20
30
0V @ 1兆赫
0V @ 1兆赫
--
--
--
--
--
4
3
1
--
--
--
--
--
kV
pF
pF
ns
-40
-65
--
--
85
150
℃
--
--
1
1.4
--
--
V
注1 ：
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
注2 ：
该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
注3 ：
最大允许功耗在任何TA （环境温度）的计算公式：P
D（最大）
= (T
J（下最大）
- T
A
)/θ
JA
。超过最大允许功耗会导致芯片温度过高，而
监管机构将进入热关断。
注4 ：
静电电压施加通道引脚与地之间，一个销在一个时间之间所有其他通道引脚开路;所有
接地引脚接地。
修订2007年5月23日
初步及所有内容如有更改，恕不另行通知
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