300mA低压电源低噪声
LDO的CMOS电压稳压器
电气特性（续）
V
IN
= 5V ; ç
IN
= 2.2μF ; ç
OUT
= 2.2μF（
电解
SE5509B
电容
）;
I
OUT
= 10毫安;牛逼
J
= 25℃ ;除非另有说明
条件
民
--
典型值
2.0
最大
--
单位
%
符号
ΔV
OUT
参数
负载调整率
(5)
VOUT version>2.8V
V
IN
= (V
OUT
+ 0.8 ） V或2.5V
I
OUT
= 10mA至300毫安
VOUT version≤2.8V
V
IN
= (V
OUT
+ 0.8 ） V或2.5V
I
OUT
= 10mA至300毫安
注4
ΔV
OUT
负载调整率
输出电压
(5)
--
3.0
--
%
ΔV
OUT
/ΔT
温度
系数
输入输出电压差
(6)
(V
OUT
>3.0V)
--
0.1
--
毫伏/°C的
I
OUT
= 10毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 300毫安
热保护温度
保护Hysterisys
10Hz至100kHz ，
I
OUT
=200mA,C
OUT
=2.2μF
C
绕行
=0.1μF
F = 10kHz时，我
OUT
=50mA,C
绕行
=0.1μF
V
EN
= 0.4V
V
EN
= V
IN
升压，输出导通，逻辑高
电压下降，输出关断，逻辑低
--
--
--
--
--
8
110
250
150
20
--
--
--
--
--
°C
mV
V
IN
– V
OUT
T
保护
热保护
e
NO
PSRR
I
Q
输出噪声
电压
纹波抑制
静态电流
使能输入
阈值电压
电流限制
--
100
--
μV
RMS
dB
μA
--
--
--
1.6
--
--
70
0.01
35
--
--
600
--
--
--
--
0.4
--
V
日（ EN ）
I
极限
V
mA
注1 ：
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
注2 ：
该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
注3 ：
在任何T中的最大允许功耗
A
（环境温度）是用计算的：P
D（最大）
=
(T
J（下最大）
– T
A
)/Θ
JA
。超过最大允许功耗会导致芯片温度过高，
和调节器将进入热关断。请参阅“热代价」一节
注4 ：
输出电压的温度系数是最坏的情况下电压变化的总温度范围划分。
注5 ：
调节时使用低占空比脉冲测试测量器件结温恒定。部分测试
在负载范围从0.1毫安300mA的负载调节。热效应引起的输出电压的变化是
所涵盖的热调节规范。
注6 ：
电压差定义为输入输出电压差，当输出电压降至低于100mV的其
在0.8V的差分测量的标称值。
注7 ：
在Cin的或Cout的，应慎重选择。请参考应用提示
修订2009年5月4日
初步及所有内容如有更改，恕不另行通知
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