600毫安CMOS低功耗低
噪声LDO稳压器
电气特性（续）
V
IN
= 5V ; ç
IN
= 2.2μF ; ç
OUT
= 2.2μF（
电解
SE5121
电容
）;
I
OUT
= 10毫安;牛逼
J
= 25℃ ;除非另有说明
条件
I
OUT
= 10毫安
民
--
--
--
--
--
--
--
--
600
典型值
5
175
300
800
150
20
60
35
--
最大
--
--
--
--
--
--
--
--
--
°C
dB
μA
mA
mV
单位
符号
参数
V
IN
– V
OUT
输入输出电压差
(6)
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 250毫安
I
OUT
= 600毫安
热保护温度
保护Hysterisys
F = 120赫兹
I
OUT
= 10毫安
T
保护
PSRR
I
Q
I
极限
热保护
纹波抑制
静态电流
电流限制
注1 ：
超过绝对最大额定值可能会损坏设备。
注2 ：
该设备是不能保证超出其工作的评价工作。
注3 ：
在任何T中的最大允许功耗
A
（环境温度）是用计算的：P
D（最大）
=
(T
J（下最大）
– T
A
)/Θ
JA
。超过最大允许功耗会导致芯片温度过高，
和调节器将进入热关断。请参阅“热代价」一节
注4 ：
输出电压的温度系数是最坏的情况下电压变化的总温度范围划分。
注5 ：
调节时使用低占空比脉冲测试测量器件结温恒定。部分测试
在负载范围从0.1毫安至600mA的负载调节。
所涵盖的热调节规范。
注6 ：
电压差定义为输入，输出差分，当输出电压下降到低于2 ％的
在1V的差分测量的标称值。
注7 ：
在Cin的或Cout的，应慎重选择。请参考应用提示
热效应引起的输出电压的变化是
应用框图
修订版2008年12月4日
初步及所有内容如有更改，恕不另行通知
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