2SB649 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB649
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内容描述：	硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 148 K
品牌：	SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2SB649

= -10mA ; ř

2SB649A

2SB649

= -1m A;我

2SB649A

= -1mA ，我

= -0.5A ;我

=-50mA

= -150mA ; V

=5V

= -160V ;我

2SB649

FE-1

直流电流增益

2SB649A

FE-2

直流电流增益

跃迁频率

集电极输出电容

= -0.5A ; V

=-5V

= -150mA ; V

=-5V

F = 1MHz的; V

=-10V

= -150mA ; V

=-5V

条件

符号

2SB649 2SB649A

民

-120

典型值。

最大

单位

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

-160

-180

-5

-1.0

-1.5

-10

140

兆赫

320

200

µA

（ BR ） CBO

集电极 - 基

击穿电压

（ BR ） EBO

CESAT

CBO

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集电极截止电流

分类

FE-1

2SB649

2SB649A

60-120

100-200

160-320

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