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型号: 2SB337
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内容描述: 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 119 K
品牌: SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]
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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
典型值。
2SB337
符号
最大
单位
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -10mA ;我
B
=0
I
E
= -1mA ;我
C
=0
I
C
= -4A ;我
B
=-0.4A
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
V
CB
= -30V ;我
E
=0
V
EB
= -10V ;我
E
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-2V
-30
V
发射极 - 基极击穿电压
-10
V
集电极 - 发射极饱和电压
-0.29
V
在电压基emittter
-0.38
V
集电极截止电流
-0.1
mA
发射极截止电流
-0.1
mA
直流电流增益
50
90
165
h
FE
分类
A
50-100
B
80-165
2