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2SB1165 参数 Datasheet PDF下载

2SB1165图片预览
型号: 2SB1165
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内容描述: 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 114 K
品牌: SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]
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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -1mA ; R
BE
=;
I
C
= -10μA ,我
E
=0
I
E
= -10μA ,我
C
=0
I
C
= -3A ;我
B
=-0.15A
I
C
= -3A ;我
B
=-0.15A
V
CB
= -40V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-2V
I
C
= -4A ; V
CE
=-2V
I
C
= -1A ; V
CE
=-5V
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
70
35
-50
-60
-6
2SB1165
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
V
-0.28
-0.95
-0.55
-1.3
-1.0
-1.0
400
V
V
µA
µA
130
60
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
英镑
tf
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -2A ;我
B1
=-I
B2
=-0.2A
V
CC
=25V
50
450
20
ns
ns
ns
h
FE-1
分类
Q
70-140
R
100-200
S
140-280
T
200-400
2