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    2SB1187 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1187图片预览
    型号： 2SB1187
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 112 K
    品牌： SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]
     浏览型号2SB1187的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1187的Datasheet PDF文件第3页  
    SavantIC半导体
    产品speci fi cation
    硅PNP功率晶体管
    特征
    Tj=25
    除非另有说明
    参数
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 基极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    跃迁频率
    输出电容
    条件
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    C
    = -50μA ，我
    E
    =0
    I
    E
    = -50μA ，我
    C
    =0
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-0.2A
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-0.2A
    V
    CB
    = -60V ;我
    E
    =0
    V
    EB
    = -4V ;我
    C
    =0
    I
    C
    = -0.5A ; V
    CE
    =-5V
    I
    C
    = -0.5A ; V
    CE
    =-5V
    I
    E
    =0 ; V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    60
    民
    -60
    -80
    -5
    2SB1187
    符号
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    典型值。
    最大
    单位
    V
    V
    V
    -1.0
    -1.5
    -10
    -10
    320
    12
    100
    V
    V
    µA
    µA
    兆赫
    pF
    2

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