2SB1156 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1156
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内容描述：	硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 123 K
品牌：	SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

2SB1156

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

条件

= -10mA ;我

= -8A ，我

=-0.4A

= -20A ，我

=-2A

= -8A ，我

=-0.4A

= -20A ，我

=-2A

= -100V ;我

= -5V ;我

= -0.1A ; V

=-2V

= -3A ; V

=-2V

= -10A ; V

=-2V

= -0.5A ; V

=-10V

兆赫

260

民

-80

-0.5

-1.5

-2.5

-10

-50

典型值。

最大

单位

µA

符号

（ BR ） CEO

CEsat-1

CEsat-2

BEsat-1

BEsat-2

CBO

EBO

FE -1

FE -2

FE -3

开关时间

英镑

开启时间

贮存时间

下降时间

=-50V;

=-3A;I

= -0.8A ，我

=0.8A

0.5

1.2

0.2

µs

FE-2

分类

60-120

90-180

130-260

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