2SB1135 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1135
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内容描述：	硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 265 K
品牌：	SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

条件

= -1mA ; R

？＆ LT ;

= -1mA ，我

= -4A ;我

=-0.4A

= -40V ;我

= -4V ;我

= -1A ; V

=-2V

= -5A ; V

=-2V

= -1A ; V

=-5V

民

-50

-60

-6

符号

（ BR ） CEO

（ BR ） CBO

（ BR ） EBO

CESAT

CBO

EBO

FE-1

FE-2

2SB1135

典型值。

最大

单位

-0.4

-100

280

µA

兆赫

开关时间

开启时间

贮存时间

下降时间

= -2.0A我

=-I

=-0.2A

0.2

0.7

0.1

µs

FE-1

分类

70-140

100-200

140-280

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