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    2SB1021 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1021图片预览
    型号： 2SB1021
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 129 K
    品牌： SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]
     浏览型号2SB1021的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1021的Datasheet PDF文件第3页  
    SavantIC半导体
    产品speci fi cation
    硅PNP功率晶体管
    2SB1021
    特征
    Tj=25
    除非另有说明
    参数
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    直流电流增益
    条件
    I
    C
    = -50mA ;我
    B
    =0
    I
    C
    = -3A ，我
    B
    =-6mA
    I
    C
    = -7A ，我
    B
    =-14mA
    I
    C
    = -3A ，我
    B
    =-6mA
    V
    CB
    = -80V ;我
    E
    =0
    V
    EB
    = -5V ;我
    C
    =0
    I
    C
    = -3A ; V
    CE
    =-3V
    I
    C
    = -7A ; V
    CE
    =-3V
    2000
    1000
    民
    -80
    -1.5
    -2.0
    -2.5
    -100
    -4.0
    15000
    典型值。
    最大
    单位
    V
    V
    V
    V
    µA
    mA
    符号
    V
    （ BR ） CEO
    V
    CEsat-1
    V
    CEsat-2
    V
    BESAT
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE-1
    h
    FE-2
    开关时间
    t
    on
    t
    英镑
    t
    f
    开启时间
    贮存时间
    下降时间
    I
    B1
    =-I
    B2
    = -6mA ; V
    CC
    >-45V
    R
    L
    =15?
    0.8
    2.0
    2.5
    µs
    µs
    µs
    2

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