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    2SB1007 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1007图片预览
    型号： 2SB1007
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅PNP功率晶体管 [Silicon PNP Power Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 105 K
    品牌： SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]
     浏览型号2SB1007的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SB1007的Datasheet PDF文件第3页  
    SavantIC半导体
    产品speci fi cation
    硅PNP功率晶体管
    特征
    Tj=25
    除非另有说明
    参数
    集电极 - 发射极击穿电压
    集电极 - 基极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    输出电容
    跃迁频率
    条件
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    =0
    I
    C
    = -50μA ，我
    E
    =0
    I
    E
    = -50μA ，我
    C
    =0
    I
    C
    = -0.5A ;我
    B
    =-50mA
    V
    CB
    = -50V ;我
    E
    =0
    V
    EB
    = -4V ;我
    C
    =0
    I
    C
    = -0.1A ; V
    CE
    =-3V
    I
    E
    =0; V
    CB
    =-10V;f=1MHz
    I
    E
    = 50毫安; V
    CE
    =-10V
    82
    14
    100
    民
    -80
    -80
    -5
    -0.2
    典型值。
    2SB1007
    符号
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） EBO
    V
    CESAT
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    C
    OB
    f
    T
    最大
    单位
    V
    V
    V
    -0.4
    -0.5
    -0.5
    390
    20
    V
    µA
    µA
    pF
    兆赫
    h
    FE
    分类
    P
    82-180
    Q
    120-270
    R
    180-390
    2

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