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2N6677 参数 Datasheet PDF下载

2N6677图片预览
型号: 2N6677
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 121 K
品牌: SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]
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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6676
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
2N6677
2N6678
V
CESAT
V
BESAT
I
CEV
I
EBO
h
FE-1
h
FE -2
C
OB
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
I
C
= 15A ;我
B
=3A
I
C
= 15A ;我
B
=3A
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
符号
2N6676 2N6677 2N6678
条件
300
350
400
典型值。
最大
单位
V
1.5
1.5
0.1
1.0
2.0
15
8
500
3
50
V
V
mA
mA
V
CE
= RatedV
CEV
;V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=100
V
EB
= 8V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 15A ; V
CE
=3V
I
E
=0 ;V
CB
=10V;f=0.1MHz
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=5.0MHz
pF
兆赫
开关时间
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 15A ;我
B1
=-I
B2
=3.0A
V
CC
= 200V ;吨
p
=20µs;
值班CycleB2.0 %
V
BB
=6V,R
L
=1.35E
0.2
0.6
2.5
0.6
µs
µs
µs
µs
热特性
符号
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
最大
1.0
单位
/W
2