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2N6263 参数 Datasheet PDF下载

2N6263图片预览
型号: 2N6263
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 116 K
品牌: SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]
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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
2N6263
I
C
= 0.1 A;我
B
=0
2N6264
2N6263
2N6264
2N6263
V
BE
基地发射极电压上
2N6264
2N6263
I
CEX
集电极截止电流
2N6264
2N6263
I
首席执行官
集电极截止电流
2N6264
2N6263
I
EBO
发射极截止电流
2N6264
2N6263
h
FE-1
直流电流增益
2N6264
2N6263
h
FE-2
直流电流增益
2N6264
f
T
跃迁频率
第二
击穿
集电极电流
基地正向偏置
2N6263
2N6264
I
C
= 0.2A ; V
CE
=4V
V
CE
=120Vdc,t=1.0s,
不重复
I
C
= 3A ; V
CE
=2V
5
200
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
20
3
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.5 A; V
CE
=4V
20
V
CE
=130V;I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1.0A ; V
CE
=2V
V
CE
=120V; V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=150
V
CE
=150V; V
BE (OFF)的
=-1.5V
T
C
=150
V
CE
=100V;I
B
=0
I
C
= 0.5A ;我
B
=0.05A
I
C
= 1.0A ;我
B
=0.1A
I
C
= 0.5A ; V
CE
=4V
150
条件
符号
2N6263 2N6264
120
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
V
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
1.2
V
0.5
2.0
V
1.5
2
10
0.05
1.0
5
mA
1
2
mA
0.2
100
60
mA
千赫
0.167
A
0.417
I
S / B
2