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2N5664 参数 Datasheet PDF下载

2N5664图片预览
型号: 2N5664
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 115 K
品牌: SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]
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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
2N5664
I
C
= 10毫安;我
B
=0
2N5665
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.3A
条件
符号
2N5664 2N5665
200
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
V
300
6
V
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极
饱和电压
2N5664
2N5665
V
CEsat-1
0.4
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
I
C
= 3A ;我
B
=0.3A
1.2
2N5665
I
C
= 3A ;我
B
=0.6A
I
C
= 5A ;我
B
=1A
V
CE
=200V;V
BE (OFF)的
=1.5V
0.2
2N5665
2N5664
V
CE
=300V;V
BE (OFF)的
=1.5V
V
CB
= 250V ;我
E
=0
1.0
2N5665
2N5664
V
CB
= 400V ;我
E
=0
40
I
C
= 0.5A ; V
CE
=2V
2N5665
2N5664
25
40
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
2N5665
2N5664
25
15
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
2N5665
10
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
V
CC
=30V;I
C
=1A;I
B1
=-I
B2
=30mA
2N5664
5
120
0.25
1.5
V
CC
=30V;I
C
=1A;I
B1
=-I
B2
=50mA
2N5665
2.0
75
120
1.5
1.0
V
V
CEsat-2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和
电压
2N5664
V
V
BEsat-1
V
V
BEsat-2
基射极饱和电压
2N5664
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
CBO
集电极截止电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
h
FE-3
直流电流增益
h
FE-4
C
OB
t
on
直流电流增益
输出电容
开启时间
pF
µs
t
关闭
打开-O FF时间
µs
2