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2N5038 参数 Datasheet PDF下载

2N5038图片预览
型号: 2N5038
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内容描述: 硅NPN功率晶体管 [Silicon NPN Power Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 3 页 / 114 K
品牌: SAVANTIC [ Savantic, Inc. ]
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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2N5038 2N5039
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极
维持电压
2N5038
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
2N5039
2N5038
2N5039
I
C
= 12A ;我
B
=1.2A
1.0
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 20A ;我
B
=5A
I
C
= 20A ;我
B
=5A
I
C
= 12A ; V
CE
=5V
1.8
2N5039
2N5038
I
首席执行官
集电极截止电流
2N5039
2N5038
I
CEX
集电极截止电流
2N5039
2N5038
I
EBO
发射极截止电流
2N5039
h
FE-1
直流电流增益
2N5038
h
FE-2
直流电流增益
2N5039
I
S / B
第二击穿集电极电流
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
V
CE
=28V,
V
CE
= 45V (T = 1.0S非重复性)
5
0.9
A
I
C
= 2A ; V
CE
=5V
I
C
= 12A ; V
CE
=5V
20
100
50
V
EB
= 5V ;我
C
=0
15
250
V
CE
= 55V ;我
B
=0
V
CE
=140V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=100V; V
BE
= -1.5V ;吨
C
=150
V
CE
=110V; V
BE
=-1.5V
V
CE
=85V; V
BE
= -1.5V牛逼
C
=150
5.0
10
5.0
10
5
mA
I
C
= 10A ; V
CE
=5V
V
CE
= 70V ;我
B
=0
20
mA
V
2.5
3.3
V
V
V
75
条件
90
V
典型值
最大
单位
符号
V
CEO ( SUS )
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CEsat-2
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
2N5038
V
BE
基射极电压上
mA
开关时间
t
r
t
s
t
f
上升时间
贮存时间
下降时间
对于2N5038
I
C
= 12A ;我
B1
=- I
B2
= 1.2A ; V
CC
=30V
对于2N5039
I
C
= 10A ;我
B1
=- I
B2
= 1A ; VCC = 30V
0.5
1.5
0.5
µs
µs
µs
2