2SA2040/2SC5707
Continued from preceding page.
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
A
Base Current
I
(--)2
1.0
15
B
W
Collector Dissipation
P
C
Tc=25 C
W
°
Junction Temperature
Storage Temperature
Tj
150
C
°
°
Tstg
--55 to +150
C
at Ta=25°C
Electrical Characteristics
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
min
max
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
I
V
=(--)40V, I =0A
(--)0.1
(--)0.1
560
A
A
μ
CBO
CB
V =(--)4V, I =0A
EB
E
I
μ
EBO
C
h
V
CE
=(--)2V, I =(--)500mA
200
FE
C
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
f
V
=(--)10V, I =(--)500mA
(290)330
(50)28
MHz
pF
mV
mV
V
T
CE C
Cob
V
CB
=(--)10V, f=1MHz
V
(sat)1
(sat)2
(sat)
I
C
=(--)3.5A, I =(--)175mA
(--230)160 (--390)240
(--240)110 (--400)170
CE
B
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
V
I =(--)2A, I =(--)40mA
C B
CE
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
V
I
C
=(--)2A, I =(--)40mA
(--)0.83
(--)1.2
BE
B
V
I
C
=(--)10 A, I =0A
(--50)100
(--50)100
(--)50
V
μ
(BR)CBO
E
V
I
C
=(--)100 A, R =0
V
μ
Ω
(BR)CES
BE
V
I
C
=(--)1mA, R =
∞
BE
V
(BR)CEO
V
I =(--)10 A, I =0A
E
(--)6
V
μ
(BR)EBO
C
t
t
t
(40)30
(225)420
25
ns
on
Storage Time
See specified Test Circuit.
ns
stg
f
Fall Time
ns
Switching Time Test Circuit
I
B1
PW=20μs
D.C.≤1%
I
B2
OUTPUT
INPUT
R
B
R
L
V
R
+
+
50Ω
100μF
470μF
V
= --5V
V
=25V
CC
BE
20I = --20I =I =2.5A
B1
B2 C
For PNP, the polarity is reversed.
Ordering Information
Device
Package
TP
Shipping
memo
2SA2040-E
500pcs./bag
500pcs./bag
700pcs./reel
700pcs./reel
2SC5707-E
TP
Pb Free
2SA2040-TL-E
2SC5707-TL-E
TP-FA
TP-FA
No.6913-2/10
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
