2SA1875 / 2SC4976
Specifications
( ) : 2SA1875
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
V
V
CBO
V
CEO
V
EBO
(--)200
(--)200
(--)3
V
V
I
(--)300
(--)600
(--)30
0.8
mA
mA
mA
W
C
Collector Current (Pulse)
Base Current
I
CP
I
B
Collector Dissipation
P
C
Tc=25°C
12
W
Junction Temperature
Storage Temperature
Tj
Tstg
150
°C
°C
--55 to +150
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Ratings
typ
Parameter
Collector Cutoff Current
Symbol
Conditions
Unit
min
max
I
V
V
V
V
V
V
V
=(--)150V, I =0
(--)0.1
(--)1.0
320*
µA
µA
CBO
CB
EB
CE
CE
CE
CB
CB
E
Emitter Cutoff Current
I
=(--)2V, I =0
C
EBO
h
h
1
2
=(--)10V, I =(--)50mA
60*
FE
FE
C
DC Current Gain
=(--)10V, I =(--)250mA
20
C
Gain-Bandwidth Product
f
T
=(--)10V, I =(--)100mA
C
400
MHz
pF
pF
V
Output Capacitance
Cob
Cre
=(--)30V, f=1MHz
=(--)30V, f=1MHz
(5.0)4.2
(4.2)3.4
Reverse Transfer Capacitance
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
V
V
(sat)
I
C
I
C
I
C
I
C
=(--)50mA, I =(--)5mA
(
-- )1.0
-- )1.0
CE
B
(sat)
=(--)50mA, I =(--)5mA
(
V
BE
B
V
V
V
=(--)10µA, I =0
(--)200
(--)200
(--)3
V
(BR)CBO
(BR)CEO
(BR)EBO
E
=(--)1mA, R =∞
BE
V
I =(--)100µA, I =0
V
E
C
* : The 2SA1875 / 2SC4976 are classified by 50mA h
as follows
FE
Rank
D
E
F
h
FE
60 to 120 100 to 200 160 to 320
I
-- V
I
-- V
C BE
C
BE
--350
350
300
250
200
150
100
2SA1875
2SC4976
=10V
V
CE
= --10V
V
CE
--300
--250
--200
--150
--100
--50
0
50
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
IT03431
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
IT03432
Base-to-Emitter Voltage, V
BE
-- V
Base-to-Emitter Voltage, V
BE
-- V
No.5507-2/5
SANYO [ SANYO SEMICON DEVICE ]
