TMG5CQ60C
Gate Characteristics
On-State Characteristics（MAX）
１００
１００
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１５０℃
１０
VGM（10V）
PGM（3W）
１０
PG（AV（） 0.3W）
１
０.１
25℃
1＋GT１
1－GT１
1－GT３
1
VGD（0.1V）
０.１
０
０．０１
０.５
１
１.５
２
２.５
３
３.５
４
１０
１００
１０００
１００００
Gate Curren（t mA）
On-State Voltage（V）
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
７
６
５
４
３
２
１５０
１４５
１４０
１３５
１３０
θ
π
θ
θ＝
＝
180゜
０
2π
150゜
θ
θ＝
120゜
３
６０゜
θ＝
90゜
θ
：Conduction Angle
θ＝ 3 0 ゜
θ＝
60゜
θ＝ 6 0 ゜
θ＝ 9 0 ゜
θ＝
30゜
θ＝ 120゜
θ＝ 150゜
θ＝ 180゜
θ
π
０
2π
θ
３
６
０゜
１２５
１２０
１
０
θ
：Conduction Angle
０
１
２
３
４
５
０
１
２
３
４
５
RMS On-State Curren（t A）
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
１０
６０
５０
４０
３０
２０
６０H Z
５０H Z
１０
０
１
０.０１
１
２
５
１０
２０
５０
１００
０.１
１
１０
１００
Time（Cycles）
Time（Sec.）
IGT －T（j Typical）
１０００VGT －T（j Typical）
１０００
１００
１０
V＋GT（1 !＋）
V－GT（1 !－）
V－GT（3 #－）
１００
I＋GT１（!＋）
I－GT１（!－）
I－GT３（#－）
１０
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５ １００ １２５ １５０
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５ １００ １２５ １５０
Junction Temp. T（j ℃）
Junction Temp. T（j ℃）
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