TMG25C60F
Gate Characteristics
On-State Characteristics（MAX）
１０００
１００
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１２５℃
１００
１０
VGM（10V）
PGM（5W）
PG（AV（） 0.5W）
１０
1
１
25℃
1＋GT１
1－GT１
1－GT３
VG（D 0.2V）
０．１
１０
１００
１０００
１００００
０.５
１
１.５
２
２.５
３
３.５
４
Gate Curren（t mA）
On-State Voltage（V）
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
３５
３０
２５
２０
１５
１０
１２５
１１５
１０５
９５
θ
π
＝150゜
θ
＝180゜
０
2π
θ
θ
θ＝
120゜
３
６０゜
θ＝
90゜
θ
：Conduction Angle
θ＝
60゜
θ＝ 3 0 ゜
θ＝
30゜
θ＝ 6 0 ゜
θ＝ 9 0 ゜
θ＝ 120゜
θ
π
８５
０
2π
θ
３
６０゜
７５
６５
５
０
θ
：Conduction Angle
θ＝ 150゜
θ＝ 180゜
０
５
１０
１５
２０
２５
０
５
１０
１５
２０
２５
RMS On-State Curren（t A）
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
１０
３００
２５０
２００
１５０
１００
１
60HZ
50HZ
５０
０
０.１
０.０１
０.１
１
１０
１００
１
１０
Time（Cycles）
１０0
Time（Sec.）
IGT －T（j Typical）
１０VGT －T（j Typical）
１０００
１００
１０
１
I＋GT１（!＋）
I－GT１（!－）
V＋GT（1 !＋）
V－GT（1 !－）
V－GT（3 #－）
I－GT３（#－）
０.１
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５
１００
１２５
－
５０
－２５
０
２５
５０
７５
１００ １２５
Junction Temp. T（j ℃）
Junction Temp. T（j ℃）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
SANREX [ SANREX CORPORATION ]
