TG16C
Gate Characteristics
On-State Voltage（M AX）
３
１０
２
PeakGate Voltage（10V）
１
１０
５
５
２
Gate
Distribution
２
１０
２
－25℃
25℃
０
１０
５
125℃
５
２
２
１
１０
M axim um Gate Voltage thatwillnottriggeranyunit
－
１０１
５
０
１
２
３
１０
１
２ ３
On-State Voltage（V）
４
５
１０
２
５
１０
２
５
Gate Curren（t m A）
２
５
On State Currentvs.
Allowable Case Tem perature
On State Currentvs.
M axim um PowerDissipation
２４
２０
１６
１２
８
１３０
１２０
１１０
１００
９０
θ＝180゜
θ
π
θ＝150゜
θ＝120゜
θ＝90゜
０
2π
θ
θ＝60゜
θ＝30゜
３６０゜
θ：Conduction Angle
θ
π
θ＝30゜
θ＝60゜
θ＝90゜
θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜
０
2π
θ
３６０゜
θ：Conduction Angle
８０
４
７０
０
０
０
４
８
１２
RM S On-State Curren（t A）
１６
２０
４
１２
RM S On-State Curren（t A）
８
１６
２０
Surge On-State CurrentRating
（Non-Repetitive）
Am bienttem p. vs. RM S On-State Current
FIn：Alplate pained black
２０
１６
１２
８
２５０
２００
１５０
１００
５０
θ＝180゜
Tj＝25℃start
120゜×3Rth：2.7℃/W
100゜×3Rth：3.3℃/W
80゜×3Rth：4.6℃/W
Conduction Angle 180゜
Applyfollowing figuresfor
differentconduction angles
θ：150゜：1.05
θ：120゜：1.16
θ：90゜：1.26
θ：60゜：1.40
４
θ：30゜：1.61
(Rth：heatSinkTherm alIm pedance)
０
０
０
０
１
１０ ２
Tim e（cycles）
２
１０
２０
４０
６０
８０
１００
M axim um Allowable Am bientTem perature（℃）
１２０
１４０
１０
２
５
５
TransientTherm alIm pedance
１２
１２
１１
１０
９
１１
１０
９
Fin：Alplate pained black
８
８
７
７
80゜×3t
６
６
100゜×3t
５
５
120゜×3t
４
４
３
３
Junction to case
２
２
１
０
１
０
ー
ー
ー
０
１０
１
１０
２
１０
３
１０
４
１０３
１０２
１０１
１０
Tim e t（sec）
SANREX [ SANREX CORPORATION ]
